Name: TK3A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3A65D(STA4QM)-ND
Price: 2.2263 EUR
Availability: InStock

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TK3A65D(STA4,Q,M)
Número de produto da DigiKey	TK3A65D(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK3A65D(STA4,Q,M)
Descrição	MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	π-MOSVII
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,25Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	540 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	35W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK3A65

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	1,81000 €	1,81 €
50	0,87340 €	43,67 €
100	0,78280 €	78,28 €
500	0,62372 €	311,86 €
1 000	0,57258 €	572,58 €
2 000	0,52958 €	1 059,16 €
5 000	0,50203 €	2 510,15 €

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.