Name: TK3A65DA(STA4,QM)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3A65DA(STA4QM)-ND
Price: 2.1402 EUR
Availability: OutOfStock

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Ficha técnica

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TK3A65DA(STA4,QM)
Número de produto da DigiKey	TK3A65DA(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK3A65DA(STA4,QM)
Descrição	MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 2,5A (Ta) 35W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	π-MOSVII
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,51Ohm a 1,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	490 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	35W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK3A65

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	1,74000 €	1,74 €
50	0,83660 €	41,83 €
100	0,74920 €	74,92 €
500	0,59590 €	297,95 €
1 000	0,54660 €	546,60 €
2 000	0,50514 €	1 010,28 €
5 000	0,47504 €	2 375,20 €

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.