Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NHL1QTR-ND
Price: 2.6568 EUR
Availability: InStock

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TPH2R306NH,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPH2R306NHL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPH2R306NHL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPH2R306NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH2R306NH,L1Q
Descrição	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 60A (Tc) 1,6W (Ta), 78W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPH2R306NH,L1Q Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,3mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6100 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (5x5)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	TPH2R306