Name: TPH2R306NH1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R306NH1LQTR-ND
Price: 2.4354 EUR
Availability: InStock

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TPH2R306NH1,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPH2R306NH1LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPH2R306NH1LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPH2R306NH1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH2R306NH1,LQ
Descrição	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	136A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,3mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6100 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	800mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (5x5,75)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8