Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 2.7183 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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TPH2R70AR5,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH2R70AR5,LQ
Descrição	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,3V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 52 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5400 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 210W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 22A (Ta), 190A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP avançado (5x5,75)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,7mOhm a 50A, 10V