Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 5.3997 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-220SM(W)

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XK1R9F10QB,LXGQ
Número de produto da DigiKey	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XK1R9F10QB,LXGQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-220SM(W)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	XK1R9F10QB,LXGQ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 184 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Séries U-MOSX-H	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 11500 pF @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação 175°C
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 160A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-220SM(W)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,92mOhm a 80A, 10V	Número base de produto XK1R9F10
Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 1mA