Name: IRF610LPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF610LPBF-ND
Price: 0.84809 EUR
Availability: OutOfStock

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Ficha técnica

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IRF610LPBF
Número de produto da DigiKey	IRF610LPBF-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	IRF610LPBF
Descrição	MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 3,3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Furo passante I2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5Ohm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	140 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	I2PAK
Pacote / Invólucro	TO-262-3 condutores longos, I2PAK, TO-262AA
Número base de produto	IRF610

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