Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 0.5166 EUR
Availability: InStock

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SI1012CR-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI1012CR-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 20V SC75A
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Montagem em superfície SC-75A
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI1012CR-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 2 nC @ 8 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 43 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 240mW (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido SC-75A
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 630mA (Ta)	Pacote / Invólucro SC-75, SOT-416
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,5V, 4,5V	Número base de produto SI1012
Rds on (máx.) para Id, Vgs 396mOhm a 600mA, 4,5V

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Fita e carretel (TR)