Name: SI2329DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2329DS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0701 EUR
Availability: InStock

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SI2329DS-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI2329DS-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 8 V 6A (Tc) 2,5W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI2329DS-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 800mV a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 29 nC @ 4.5 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1485 pF @ 4 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 8 V	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,2V, 4,5V	Número base de produto SI2329
Rds on (máx.) para Id, Vgs 30mOhm a 5,3A, 4,5V

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