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SI3460BDV-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
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SI3460BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI3460BDV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3460BDV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3460BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI3460BDV-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3,5W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 24 nC @ 8 V |
Séries | Vgs (máx.) ±8V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 860 pF @ 10 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 3,5W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V | Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 27mOhm a 5,1A, 4,5V |
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Substitutos (8)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| SI3460BDV-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 23 | 742-SI3460BDV-T1-BE3CT-ND | 1,10000 € | Direct |
| DMN2028UVT-7 | Diodes Incorporated | 1 609 | DMN2028UVT-7DICT-ND | 0,50000 € | Similar |
| FDC637AN | onsemi | 11 679 | FDC637ANCT-ND | 1,05000 € | Similar |
| FDC637BNZ | onsemi | 12 331 | FDC637BNZCT-ND | 0,64000 € | Similar |
| IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | 1 993 | IRLMS2002PBFCT-ND | 0,79000 € | Similar |
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