
SI3460DDV-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI3460DDV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3460DDV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3460DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI3460DDV-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP |
Tempo de espera previsto do fabricante | 38 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 20 V 7,9A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI3460DDV-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8V, 4,5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 28mOhm a 5,1A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 18 nC @ 8 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 666 pF @ 10 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 6-TSOP | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,60000 € | 0,60 € |
| 10 | 0,37200 € | 3,72 € |
| 100 | 0,23840 € | 23,84 € |
| 500 | 0,18076 € | 90,38 € |
| 1 000 | 0,16214 € | 162,14 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,13848 € | 415,44 € |
| 6 000 | 0,12655 € | 759,30 € |
| 9 000 | 0,12048 € | 1 084,32 € |
| 15 000 | 0,11364 € | 1 704,60 € |
| 21 000 | 0,10960 € | 2 301,60 € |
| 30 000 | 0,10567 € | 3 170,10 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,60000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 0,73800 € |











