Name: SI3460DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.738 EUR
Availability: InStock

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SI3460DDV-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI3460DDV-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI3460DDV-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI3460DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI3460DDV-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 7,9A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI3460DDV-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 18 nC @ 8 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 666 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 7,9A (Tc)	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Número base de produto SI3460
Rds on (máx.) para Id, Vgs 28mOhm a 5,1A, 4,5V

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