
SI4425FDY-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SI4425FDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4425FDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4425FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4425FDY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 30 V 12,7A (Ta), 18,3A (Tc) 2,3W (Ta), 4,8W (Tc) Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 9,5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +16V, -20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1620 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2,3W (Ta), 4,8W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,00000 € | 1,00 € |
| 10 | 0,62800 € | 6,28 € |
| 100 | 0,41220 € | 41,22 € |
| 500 | 0,31978 € | 159,89 € |
| 1 000 | 0,29000 € | 290,00 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,25776 € | 644,40 € |
| 5 000 | 0,23782 € | 1 189,10 € |
| 7 500 | 0,22767 € | 1 707,53 € |
| 12 500 | 0,21626 € | 2 703,25 € |
| 17 500 | 0,21343 € | 3 735,03 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,00000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,23000 € |



