SI9945BDY-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI9945BDY-T1-GE3

Número de produto da DigiKey
SI9945BDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SI9945BDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SI9945BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
SI9945BDY-T1-GE3
Descrição
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Rds on (máx.) para Id, Vgs
58mOhm a 4,3A, 10V
Fabricante
Vishay Siliconix
Vgs(th) (máx.) para Id
3V a 250µA
Séries
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
20nC a 10V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
665pF a 15V
Part Status
Obsoleto
Potência - Máx.
3,1W
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Configuração
2 canais N (duplo)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Característica FET
Porta de nível lógico
Pacote / Invólucro
8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
60V
Invólucro do dispositivo fornecido
8-SOIC
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
5,3A
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (11)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
SI9634DY-T1-GE3Vishay Siliconix0742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND1,20000 €Recomendado pelo fabricante
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Obsoleto
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