Name: SIDR510EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.5018 EUR
Availability: InStock

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SIDR510EP-T1-RE3
Número de produto da DigiKey	742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIDR510EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIDR510EP-T1-RE3
Descrição	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIDR510EP-T1-RE3 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,6mOhm a 20A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Séries TrenchFET® Gen V	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 81 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4980 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 33A (Ta), 148A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8DC PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®