Name: SIDR626DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR626DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.7638 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIDR626DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIDR626DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIDR626DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIDR626DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIDR626DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	29 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 42,8A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	42,8A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5130 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8DC PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SIDR626