Name: SIDR638DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR638DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.9889 EUR
Availability: InStock

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SIDR638DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIDR638DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIDR638DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIDR638DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIDR638DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Tempo de espera previsto do fabricante	33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIDR638DP-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,88mOhm para 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	204 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	10500 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8DC PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SIDR638