Name: SIHP12N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP12N65E-GE3-ND
Price: 3.2349 EUR
Availability: OutOfStock

SIHP12N65E-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHP12N65E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHP12N65E-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIHP12N65E-GE3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	380mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1224 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	156W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220AB
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	SIHP12

Preço unitário sem VAT:	2,63000 €
Preço unitário com VAT:	3,23490 €

SIHP12N65E-GE3