SIHP17N60D-E3 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:

Recomendado pelo fabricante


Vishay Siliconix
Em estoque: 16 512
Preço unitário : 3,62000 €
Ficha técnica

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 995
Preço unitário : 3,10000 €
Ficha técnica

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 67
Preço unitário : 3,77000 €
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 1 602
Preço unitário : 3,60000 €
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 2 052
Preço unitário : 3,80000 €
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 2 299
Preço unitário : 3,32000 €
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 907
Preço unitário : 4,01000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 990
Preço unitário : 2,95000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 468
Preço unitário : 1,93000 €
Ficha técnica

Similar


IXYS
Em estoque: 219
Preço unitário : 5,86000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 2 214
Preço unitário : 3,13000 €
Ficha técnica

Similar


Infineon Technologies
Em estoque: 9
Preço unitário : 3,92000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 594
Preço unitário : 2,14000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 1 322
Preço unitário : 4,64000 €
Ficha técnica
Canal N 600 V 17A (Tc) 277,8W (Tc) Furo passante TO-220AB
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIHP17N60D-E3

Número de produto da DigiKey
SIHP17N60D-E3-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SIHP17N60D-E3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 17A (Tc) 277,8W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIHP17N60D-E3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
340mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1780 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
277,8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220AB
Pacote / Invólucro
Número base de produto
Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

Obsoleto
Este produto não é mais fabricado. Ver Substitutos.