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Canal N 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Furo passante TO-247AD
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SIHW47N65E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHW47N65E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHW47N65E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Furo passante TO-247AD
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
47A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
72mOhm a 24A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
5682 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247AD
Pacote / Invólucro
TO-247-3
Número base de produto
SIHW47
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
4803,43679 €1 649,66 €
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.
Preço unitário sem VAT:3,43679 €
Preço unitário com VAT:4,22725 €