
SIR5812DP-T1-RE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SIR5812DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIR5812DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIR5812DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIR5812DP-T1-RE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 80 V 13A (Ta), 45,3A (Tc) 4,1W (Ta), 50W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 13,5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 775 pF @ 40 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 4,1W (Ta), 50W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SO-8 PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,19000 € | 1,19 € |
| 10 | 0,75000 € | 7,50 € |
| 100 | 0,49680 € | 49,68 € |
| 500 | 0,38816 € | 194,08 € |
| 1 000 | 0,35319 € | 353,19 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,30878 € | 926,34 € |
| 6 000 | 0,28643 € | 1 718,58 € |
| 9 000 | 0,27504 € | 2 475,36 € |
| 15 000 | 0,27109 € | 4 066,35 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,19000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,46370 € |






