
SIS990DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIS990DN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 49 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 100V 12,1A 25W Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8 duplo |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIS990DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 12,1A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 85mOhm a 8A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 8nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 250pF a 50V | |
Potência - Máx. | 25W | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | PowerPAK® 1212-8 duplo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PowerPAK® 1212-8 duplo | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,24000 € | 1,24 € |
| 10 | 0,78100 € | 7,81 € |
| 100 | 0,51820 € | 51,82 € |
| 500 | 0,40554 € | 202,77 € |
| 1 000 | 0,36929 € | 369,29 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,34589 € | 1 037,67 € |
| 6 000 | 0,32110 € | 1 926,60 € |
| 9 000 | 0,30847 € | 2 776,23 € |
| 15 000 | 0,29429 € | 4 414,35 € |
| 21 000 | 0,28615 € | 6 009,15 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,24000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,52520 € |











