
SISS5110DN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SISS5110DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SISS5110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SISS5110DN-T1-GE3 |
Descrição | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 13,4A (Ta), 46,4A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK® |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 8,9mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±25V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 920 pF @ 50 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 1212-8S PowerPAK® | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,88000 € | 1,88 € |
| 10 | 1,20600 € | 12,06 € |
| 100 | 0,81850 € | 81,85 € |
| 500 | 0,65278 € | 326,39 € |
| 1 000 | 0,62690 € | 626,90 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,53188 € | 1 595,64 € |
| 6 000 | 0,51218 € | 3 073,08 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,88000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 2,31240 € |











