Name: SISS5112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2263 EUR
Availability: InStock

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SISS5112DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SISS5112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SISS5112DN-T1-GE3
Descrição	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Tempo de espera previsto do fabricante	33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 11A (Ta), 40,7A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montagem em superfície 1212-8S PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SISS5112DN-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Ta), 40,7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14,9mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	790 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	1212-8S PowerPAK®
Pacote / Invólucro	1212-8S PowerPAK®
Número base de produto	SISS5112