SQ2361AEES-T1_BE3 Vishay Siliconix | Produtos semicondutores discretos

SQ2361AEES-T1_BE3 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Vishay Siliconix

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SQ2361AEES-T1_BE3
Número de produto da DigiKey	742-SQ2361AEES-T1_BE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQ2361AEES-T1_BE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQ2361AEES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ2361AEES-T1_BE3
Descrição	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 2,8A (Tc) 2W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	170mOhm a 2,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	620 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	SQ2361