Name: SQJ168ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ168ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.353 EUR
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SQJ168ELP-T1_GE3
cms-digikey-product-number	742-SQJ168ELP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQJ168ELP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQJ168ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SQJ168ELP-T1_GE3
cms-description	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
cms-standard-lead-time	27 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 60 V 24A (Tc) 29,4W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	36mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	987 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	29,4W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®