Name: SQJ457EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ457EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.599 EUR
Availability: InStock

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SQJ457EP-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQJ457EP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQJ457EP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQJ457EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJ457EP-T1_GE3
Descrição	MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 36A (Tc) 68W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3400 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	68W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SQJ457