Name: SQJB60EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB60EP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.968 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SQJB60EP-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQJB60EP-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQJB60EP-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQJB60EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJB60EP-T1_GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 30A (Tc) 48W Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1600pF a 25V
Potência - Máx.	48W
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	SO-8 Dual PowerPAK®
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 Dual PowerPAK®
Número base de produto	SQJB60