Name: SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ466E-T1_GE3TR-ND
Price: 4.0344 EUR
Availability: InStock

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SQJQ466E-T1_GE3
Número de produto da DigiKey	SQJQ466E-T1_GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SQJQ466E-T1_GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SQJQ466E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQJQ466E-T1_GE3
Descrição	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 200A (Tc) 150W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SQJQ466E-T1_GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,9mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	10210 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK® 8 x 8
Pacote / Invólucro	PowerPAK® 8 x 8
Número base de produto	SQJQ466