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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
G2R1000MT33J | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 1242-G2R1000MT33J-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | G2R1000MT33J |
Descrição | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | G2R1000MT33J Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 3300 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 1,2Ohm a 2A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,5V a 2mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 238 pF @ 1000 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 74W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263-7 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 16,14000 € | 16,14 € |
| 10 | 14,59700 € | 145,97 € |
| 25 | 14,01800 € | 350,45 € |
| 100 | 13,18880 € | 1 318,88 € |
| 250 | 12,67052 € | 3 167,63 € |
| 500 | 12,29048 € | 6 145,24 € |
| Preço unitário sem VAT: | 16,14000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 19,85220 € |
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