


G2R120MT33J | |
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Número de produto da DigiKey | 1242-G2R120MT33J-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | G2R120MT33J |
Descrição | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 3300 V 35A Montagem em superfície TO-263-7 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | G2R120MT33J Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 3300 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 156mOhm a 20A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | - | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 145 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +25V, -10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | - | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263-7 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
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| 250 | 79,40964 € | 19 852,41 € |
| Preço unitário sem VAT: | 79,40964 € |
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| Preço unitário com VAT: | 97,67386 € |




