Name: G3F20MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F20MT12J-TR-ND
Price: 24.9813 EUR
Availability: InStock

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G3F20MT12J-TR
Número de produto da DigiKey	1242-G3F20MT12J-TR-ND - Fita e carretel (TR) 1242-G3F20MT12J-TRCT-ND - Fita cortada (CT) 1242-G3F20MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Número de produto do fabricante	G3F20MT12J-TR
Descrição	1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 108A (Tc) 448W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiC (transistor de junção de carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	108A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	26,5mOhm a 40A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 30mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	176 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4317 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	448W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA