AUIRF5210STRL Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

AUIRF5210STRL está obsoleto e não é mais fabricado.

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Infineon Technologies

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AUIRF5210STRL
Número de produto da DigiKey	AUIRF5210STRLTR-ND - Fita e carretel (TR) AUIRF5210STRLCT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AUIRF5210STRL
Descrição	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 38A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	AUIRF5210STRL Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	HEXFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	38A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	60mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2780 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	AUIRF5210