Name: BSZ900N20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ900N20NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.1771 EUR
Availability: InStock

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BSZ900N20NS3GATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ900N20NS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ900N20NS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ900N20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ900N20NS3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 15,2A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ900N20NS3GATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 30µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 11.6 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 920 pF @ 100 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 62,5W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15,2A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto BSZ900
Rds on (máx.) para Id, Vgs 90mOhm a 7,6A, 10V