Name: IPDQ60R022S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND
Price: 10.8732 EUR
Availability: InStock

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IPDQ60R022S7XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPDQ60R022S7XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPDQ60R022S7XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPDQ60R022S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPDQ60R022S7XTMA1
Descrição	HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 24A (Tc) 416W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-22-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPDQ60R022S7XTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ S7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	22mOhm a 23A, 12V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 1,44mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	150 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5639 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	416W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HDSOP-22-1
Pacote / Invólucro	Módulo 22-PowerBSOP
Número base de produto	IPDQ60R