Name: IPTC007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTC007N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 7.4415 EUR
Availability: OutOfStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPTC007N06NM5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPTC007N06NM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPTC007N06NM5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPTC007N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPTC007N06NM5ATMA1
Descrição	TRENCH 40<-<100V
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 52A (Ta), 454A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-U01
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPTC007N06NM5ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	52A (Ta), 454A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,75mOhm a 150A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,3V a 280µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	261 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	21000 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HDSOP-16-U01
Pacote / Invólucro	Módulo PowerSOP-16