Name: IQE013N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 3.0135 EUR
Availability: InStock

IQE013N04LM6CGATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQE013N04LM6CGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQE013N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQE013N04LM6CGATMA1
Descrição	40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta) 107W (Tc) Montagem em superfície PG-TTFN-9-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQE013N04LM6CGATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,35mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 51µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3900 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta) 107W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TTFN-9-1
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	IQE013

Preço unitário sem VAT:	2,45000 €
Preço unitário com VAT:	3,01350 €

IQE013N04LM6CGATMA1