Name: ISC058N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 1.23 EUR
Availability: InStock

ISC058N04NM5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-ISC058N04NM5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-ISC058N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	ISC058N04NM5ATMA1
Descrição	40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8 FL
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	ISC058N04NM5ATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17A (Ta), 63A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,8mOhm a 31A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,4V a 13µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1100 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8 FL
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	ISC058N

Preço unitário sem VAT:	1,00000 €
Preço unitário com VAT:	1,23000 €

ISC058N04NM5ATMA1