Name: PSMN3R3-100SSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R3-100SSFJTR-ND
Price: 6.1008 EUR
Availability: InStock

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PSMN3R3-100SSFJ
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN3R3-100SSFJTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN3R3-100SSFJCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN3R3-100SSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN3R3-100SSFJ
Descrição	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 180A (Ta) 341W (Ta) Montagem em superfície LFPAK88 (SOT1235)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,3mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	159 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9940 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	341W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK88 (SOT1235)
Pacote / Invólucro	SOT-1235