Name: NTB25P06T4G
Brand: onsemi
SKU: NTB25P06T4GOSTR-ND
Price: 3.2841 EUR
Availability: InStock

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NTB25P06T4G
Número de produto da DigiKey	NTB25P06T4GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTB25P06T4GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTB25P06T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTB25P06T4G
Descrição	MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 27,5A (Ta) 120W (Tj) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	27,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	82mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1680 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	120W (Tj)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	NTB25