Name: NVMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND
Price: 2.7183 EUR
Availability: OutOfStock

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onsemi

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Preço unitário : 2,10000 €

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NVMJS2D5N06CLTWG
Número de produto da DigiKey	NVMJS2D5N06CLTWGOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NVMJS2D5N06CLTWGOSCT-ND - Fita cortada (CT) NVMJS2D5N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMJS2D5N06CLTWG
Descrição	MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 3,9W (Ta), 113W (Tc) Montagem em superfície 8-LFPAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVMJS2D5N06CLTWG Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	31A (Ta), 164A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 135µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3600 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,9W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-LFPAK
Pacote / Invólucro	SOT-1205, 8-LFPAK56
Número base de produto	NVMJS2