Name: NVMYS029N08LHTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS029N08LHTWGTR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMYS029N08LHTWG

onsemi

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Preço unitário : 2,21000 €

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NVMYS029N08LHTWG
Número de produto da DigiKey	488-NVMYS029N08LHTWGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMYS029N08LHTWGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMYS029N08LHTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMYS029N08LHTWG
Descrição	T8 80V LL LFPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 7A (Ta), 22A (Tc) 3,5W (Ta), 33W (Tc) Montagem em superfície LFPAK4 (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7A (Ta), 22A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	29mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 20µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	431 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,5W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK4 (5x6)
Pacote / Invólucro	SOT-1023, 4-LFPAK

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