Name: RS3L110ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS3L110ATTB1TR-ND
Price: 3.4071 EUR
Availability: InStock

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RS3L110ATTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS3L110ATTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS3L110ATTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS3L110ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS3L110ATTB1
Descrição	PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 11A (Ta) 1,4W (Ta) Montagem em superfície 8-SOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RS3L110ATTB1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12,8mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6300 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,4W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	RS3L