Name: SCTL35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL35N65G2VTR-ND
Price: 17.0232 EUR
Availability: InStock

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SCTL35N65G2V
Número de produto da DigiKey	497-SCTL35N65G2VTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-SCTL35N65G2VCT-ND - Fita cortada (CT) 497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCTL35N65G2V
Descrição	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Montagem em superfície PowerFlat™ (8x8) HV
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCTL35N65G2V Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	40A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	67mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1370 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	417W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerFlat™ (8x8) HV
Pacote / Invólucro	4-PowerVDFN
Número base de produto	SCTL35