TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Produtos semicondutores discretos

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TK6A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Ficha técnica

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TK4A65DA(STA4,Q,M)
Número de produto da DigiKey	TK4A65DA(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK4A65DA(STA4,Q,M)
Descrição	MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 3,5A (Ta) 35W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Modelos EDA / CAD	TK4A65DA(STA4,Q,M) Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	π-MOSVII
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,9Ohm a 1,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	600 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	35W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK4A65

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