Canal N 100 V 5,6A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
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Canal N 100 V 5,6A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF510SPBF

Número de produto da DigiKey
IRF510SPBF-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
IRF510SPBF
Descrição
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 5,6A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IRF510SPBF Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
5,6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
540mOhm a 3,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
180 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3,7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
IRF510
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Quantidade
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
11,74000 €1,74 €
500,83980 €41,99 €
1000,75190 €75,19 €
5000,59762 €298,81 €
1 0000,54800 €548,00 €
2 0000,50627 €1 012,54 €
5 0000,46112 €2 305,60 €
10 0000,46026 €4 602,60 €
Embalagem padrão do fabricante
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