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SI4900DY-T1-GE3 está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI4900DY-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 60V 5,3A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 60V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 5,3A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 58mOhm a 4,3A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 20nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 665pF a 15V | |
Potência - Máx. | 3,1W | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Número base de produto |
Obsoleto
Portugal