Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.8105 EUR
Availability: InStock

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SIJK5100E-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIJK5100E-T1-GE3
Descrição	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK®10 x 12
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIJK5100E-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	74A (Ta), 417A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,4mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	11480 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	17W (Ta), 536W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK®10 x 12
Pacote / Invólucro	PowerBSFN-8