Name: SIR626DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR626DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.4563 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIR626DP-T1-RE3
Número de produto da DigiKey	SIR626DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR626DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR626DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR626DP-T1-RE3
Descrição	MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIR626DP-T1-RE3 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 78 nC @ 7.5 V
Séries TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5130 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto SIR626
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 20A, 10V