Name: SQ2337ES-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2337ES-T1_BE3TR-ND
Price: 1.1316 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SQ2337ES-T1_BE3
Número de produto da DigiKey	742-SQ2337ES-T1_BE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SQ2337ES-T1_BE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SQ2337ES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SQ2337ES-T1_BE3
Descrição	MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 80 V 2,2A (Tc) 3W (Tc) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	290mOhm a 1,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	620 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	SQ2337